Osram повышает эффективность светодиодов
Osram Opto Semiconductors достигла самого значительного прогресса в мире на пути сокращения прямого напряжения для голубых чипов высокой мощности. Это привело к увеличению КПД до восьми процентов. Оптимизированные InGaN чипы (индия-галлия-нитрид) по технологии UX:3 являются основой для синих или белых светодиодов, и уже используются в производстве. Эксперты Osram также указывают на значительный потенциал для снижения напряжения еще на 20 - 30 милливольт к лету 2015.
Синий чип Osram Oslon Square (LD CQAR), например, в настоящее время имеет типичное прямое падение напряжения 2,87 Вольт вместо 3,05 В указанных до сих пор в паспорте - самое низкое типичное значения для этого класса компонентов во всём мире. При 85°С может быть достигнуто напряжение 2,78 В. Снижение прямого напряжения было достигнуто благодаря новому процессу в эпитаксии. В зависимости от рабочей точки, это приводит к увеличению эффективности этих светоизлучающих диодов (LED) от шести до восьми процентов, которые могут распространяться на всё семейство UX:3 чипов. Эти чипы будут устанавливаться во все синие и белые светодиоды. Светодиоды используются в чрезвычайно широком диапазоне применений - например, Osram Oslon Square в уличном и промышленном освещении. Производство первых, оптимизированных чипов началось в августе 2014 года.
Следующие шаги: дальнейшее развитие и перспективы производства
Существует еще огромный потенциал. В лаборатории уже преуспели в дальнейшем сокращении прямого напряжения на 30 мВ. Это позволит пропорционально улучшить эффективность светодиодных чипов. Учитывая прогресс, который достигнут на первом шаге, есть уверенность, что усовершенствованная технология может быть передана в производство к лету 2015 года, заявляют специалисты компании. Любые дальнейшие сокращения прямого напряжения будут незначительными, исходя из законов физики.
Источник - Led Professional - Trends & Technologies for Future Lighting Solutions, Feb 16, 2015
<< Предыдущая статья | Следующая статья >> |