Новые светодиодные матрицы GaN-on-Silicon от Plessey
Компания Plessey объявила о выпуске линейки матричных кристаллов MaGIC™, изготовленных по запатентованной технологии GaN-on-Silicon. Продукт является последней инновацией в производстве светодиодных матриц высокой яркости, разработанной для широкого спектра приложений средней и высокой мощности, включая общее освещение, рекламные вывески, жилое и уличное освещение.
Plessey предлагает широкий спектр синих кристаллов в различных вариантах длины волны. Способные давать более 60% светоотдачи, матрицы поставляются стандартной толщиной 150 мкм, другие толщины также могут поставляться, минимум, до 75 мкм.
В процессе изготовления, получается вертикальная структура светодиода, которая имеет контакт анода в нижней части и катод, сформированный в верхнем металлизированном слое. Конфигурация верхнего металлизированного слоя оптимизирована для конкретного размера светодиода и рабочего тока матрицы, и имеет одну или несколько контактных площадок для соединения с катодом.
Чипы поставляются на ленте, бинованые по цвету для обеспечения близкой однородности и предназначены для использования со стандартными машинами установки чипов. Образцы доступны в различных формах матриц с длинами волн от 420 до 480 нм и от мВт до 10 Вт для PExS4500, имеющим выходную оптическую мощность 4000 мВт при токе 3 A.
Информация о Plessey:
Plessey является ведущей компанией в производстве полупроводниковых продуктов, используемых в измерениях и контрольных приложениях, и сейчас находится на переднем крае технологий твёрдотельного освещения. Светодиодная технология MaGIC™ (изготовленная по технологии GaN-on-Si I / C) завоевала множество наград за инновации и возможность сократить расходы на светодиодное освещение с использованием недорогого материала - кремния. Используя свое понимание электроники, опыт в микроэлектронике и производстве электронных изделий, Plessey достигает значительных успехов в инновационных технологиях.
Источник - Led Professional - Trends & Technologies for Future Lighting Solutions, Sep 02, 2015
<< Предыдущая статья | Следующая статья >> |